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充电5分钟,畅玩2小时,165Hz高帧刷新体验

时间:2021-03-08 10:44

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作者:admin

标签: 骁龙888  高通  GaN  快充技术 

导读:充电5分钟,畅玩2小时,165Hz高帧刷新体验-6.8英寸全面电竞屏,炫酷的外观设计,搭载高通骁龙888旗舰处理器,刷新率高达165Hz...

就在刚刚,腾讯×努比亚红魔游戏手机6和6Pro正式发布。

红魔手机6

红魔手机6Pro

6.8英寸全面电竞屏,炫酷的外观设计,搭载高通骁龙888旗舰处理器,刷新率高达165Hz;七层多维散热系统,散热能力大幅升级;业内最高400Hz触控游戏双肩键设计,能够轻松实现六指操作。

然而,作为一款高帧频的游戏手机,在畅享快感的同时,也必然带来较大的电量损耗,基于此,大功率快充便成为红魔手机的标配首选!

此次发布的腾讯红魔游戏手机6Pro是业界首款标配120W 黑魔方氮化镓快充的游戏手机,搭配新一代GaN芯片的120W快充,体积更小巧,支持PD/PPS多协议兼容。轻松实现充电5分钟,畅玩2小时的无忧操作。

        官方介绍称,接入120W GaN快充短短5分钟,手机电量便从0迅速提升到50%,充电速度颠覆想象。

据了解,120W GaN快充的核心器件应用了英诺赛科InnoGaN新一代产品。得益于第三代半导体GaN高频高效的特性,InnoGaN 120W 快充方案的磁性元件、电容器体积大幅减小,同时结合超低热阻的DFN封装进行巧妙设计,全面实现小型化。高效率也实现更低的温升,让大功率充电发热问题不复存在。

业界首款标配120W黑魔方氮化镓的红魔手机6Pro的发布,标志着英诺赛科InnoGaN系列产品正式进入标配市场。而在PD快充引领的环境下,越来越多厂商入局快充市场,对具备高频高效特性的第三代半导体GaN优势逐渐显现,并逐步取代Si在中小功率快充电源中广泛应用。可以预见,GaN技术的不断成熟和大规模应用,势必推动整个功率半导体市场发生重大变革。

当前红魔手机6和6Pro已在官网开启预售,感兴趣的朋友可以加购了!

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