存储巨头退出的百亿美元市场，东芯半导体抢滩

作者：电子发烧友 黄晶晶
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在中国大力发展存储芯片的半导体产业环境下，可能很多人不知道，东芯半导体是目前国内唯一可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片设计公司。

东芯的三类存储产品定位不同，其中NOR Flash定位中高端、大容量。NAND Flash定位中低容量，DRAM也是中低容量。主要应用在嵌入式行业，包括通信光猫、监测、智能音箱、可穿戴产品、4G模块等等，以及智能手机、电视机、机顶盒，还有未来的无人驾驶，边缘计算等。据悉，东芯半导体已经与国内最大的通信公司达成合作，在2016年底开始大规模出货。



“我们避开了三星、美光等行业巨头，不与他们直接竞争。这些巨头的存储芯片主要是大容量存储，我们的策略是国际巨头逐步要放弃的市场。据估算，这个市场的份额在100亿美金左右，其中70%的市场在中国。因此这个市场足够大，我们利用本土优势更贴近市场。”东芯半导体总经理王超分析说东芯的产品定位非常清晰，就是要巨头退出的市场，切入国产芯片进行替代。

中低容量存储不等于低端产品。产品方面，东芯半导体于2014年12月联合中芯国际共同开发了24nm的NAND Flash，于2015年10月成功流片国内首颗38nm1Gb SPI NAND芯片，于2016年7月成功流片国内首颗24nm4Gb SLC NAND芯片，于2017年9月成功流片国内首颗38nm2Gb SPI NAND，使得中国存储芯片设计能力与国际先进的差距不断缩小。



王超解析，大容量主要用于数据存储，中低容量用于程序存储、运算，这类存储对可靠性要求更高，同时工艺水平已经发展到极限，也就是2X纳米的2D NAND。目前东芯中低容量NAND的设计水平已与国际水平相当，并在国内保持领先。

2016年存储行业开启了大缺货时期，存储芯片价格爆涨。显然，东芯也受益了这波上涨的市场行情。如今存储芯片价格下跌，王超表示，早在去年初他们已经对下跌的形势有所预警，并提前做好准备，因此受影响程度不大。反而更关注存储市场未来的爆发机会。

王超说，东芯在产品规划上面也制定了五年战略，将继续专注中低容量存储，目标是做到国内市场份额的三分之一以上。针对车规级存储，计划三年内进军车规市场。目前，公司已完成A轮融资，引入了中芯聚源、中金锋泰等战略股东。三年内也希望借助资本助力将企业规模做大做强。