三星推出容量达1Tb的V-NAND单晶粒

在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。

       三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。

       如此精巧之后，连传统M.2 2242（NGFF）的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。

       其中单面16TB的样品三围是30.5mm x 110mm x 4.38mm，当然这是极大值的情况。

       按照三星的演示，典型的服务器可以塞入36张单面16TB NGSFF SSD，总存储容量达到576TB。

       当然，相较技术、容量本身的进步，用户可能关注闪存第一厂何时能够释放更大的产能把SSD的价格降回去吧。