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浅析国产存储面临的挑战

时间:2018-06-06 16:22

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作者:admin

标签: NAND 

导读:浅析国产存储面临的挑战- 当你与一位半导体存储器行业的老投资者交谈时,你会看到,他面对这个模棱两可行业所表现出的冷静态度。因为破坏利润的因素总是存在,而一些因素可能会...

当你与一位半导体存储器行业的老投资者交谈时,你会看到,他面对这个模棱两可行业所表现出的冷静态度。因为破坏利润的因素总是存在,而一些因素可能会压倒你在投资时候的乐观逻辑。

今天的话题之一是,NAND行业在其20多年的历史后进入了真正的转型时期之一。3D NAND正在成熟,带来了前所未有的高密度和低成本,从而在数据中心和移动设备中带来了新的机会。

在这些新应用的驱动下,TAM正在上升。在强劲的需求和一些产能限制的支撑下,利润也在上升。但并非每家公司都同样受益。

三星占据了40%的收入份额,利润份额可能更大。三星之下,是受到动荡波及的第二大生产商——东芝,正如我们先前所讨论的那样,东芝的动荡和竞争对手的技术优势为镁光和英特尔带来了黄金机会,让它们在行业中占据了一定比例的收入和利润份额。

存储产业将在2020年面临挑战

这是好日子,对吗?没错,如果我们只考虑未来几年的话,的确如此,但是2020年以后呢?

在这项业务中,PE倍数总是受制于供应和需求的面对面的特性。随着物联网的兴起和数据中心的新机遇,需求似乎相对确定。但是供应怎么样?更大的密度与持续的技术进步可能吓到了一些人,但常常被人遗忘的是,从平面到3D的初始转换会增加40%的芯片成本,此后每一步推进的过程再从晶圆供应中减去10-15%。

总之,当行业最终将平面晶圆转换为2019年的第3代(在某些情况下是第4代)时,2016年130万wpm的NAND容量将缩小到仅500kwpm。

毫无疑问,NAND行业正在增加3D的容量——镁光和英特尔各自建立了新的3D制造厂,其他供应商也在增加。但问题是,行业纪律一直保持得很好。除此之外,我们面临着平面转换的中断和3D产量的问题,所有这些因素的结合使得2017年NAND比特的增长低于40%的复合年均增长率。

根据预测,排除现在的需求关系(即需求趋势为40-45%的复合年均增长率),行业未来的供应动力应当是以下因素的函数:

(1)晶圆厂设备供应商将更强的蚀刻带来,使得芯片层数在2018年内超越64层。

(2)字符串堆叠(String stacking)在3-4层的堆叠中有效。

(3)3D产量提高到与平面产量相等(90% +),只有老牌厂商在吹嘘这一点。

(4)东芝的收购时间是否严重拖延了Flash Ventures的Fab 6。

如果所有这些因素都圆满解决,那么在2019年或2020年,行业可能处于供过于求的状况。如果问题并未解决,那么45%的需求很有可能压倒超过15-20%的供给量。现实应该在中间的某个地方,所以折中一下,我同意老牌厂商的同伴给出的几率。

无论如何,三星将得到40%的份额,但是镁光和英特尔可以从东芝、西部数据和SK海力士取得更多份额,前提是没有其他变化影响总供给方程。就我个人而言,(正如我所写的),我觉得需求将超过目前的估计,但即使我的乐观预测不成立,情况也是行业的健康牢牢掌握在供应商手中。即使所有的技术推动因素都实现了,对于供应商的稍许约束也将保持行业良好的利润。

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