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Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和

时间:2015-03-05 16:30

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作者:admin

标签: MOSFET  SiA466EDJ  Vishay 

导读:Vishay新款20V MOSFET提高便携式电子产品功率密度和可靠性-宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、热增强...

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm x 2mm,具有业内最高的封装限制电流,可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS,提供集成ESD保护功能的此类器件。

  SiA466EDJ的25A封装限制电流比最接近的器件高13%。在负载开关应用里,高额定电流为大涌入电流和短路等故障情况提供了额外的安全裕量。MOSFET集成ESD保护功能,保护能力达到2500V,能防止因触摸或人体接触而导致的静电破坏。

  今天推出的器件是多用途的电源管理解决方案,可用于便携式电子产品。器件具有大电流和出色的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM),适用于无线和快速电池充电器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电子锁里面的同步降压转换器和负载开关。

  为提高高频开关应用里的效率,SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的导通电阻分别为9.5 mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ,可减少导通损耗,典型栅极电荷为6.3nC,栅极电阻为0.9Ω,使开关损耗最小化。MOSFET经过了100%的RG测试,符合RoHS,无卤素。

  SiA466EDJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器电感器电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

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