氧化镓的电子态缺陷研究

 近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。

宽带隙和超宽带隙半导体的二极管和晶体管可以在关断状态下在小距离上保持大电压，而能掺杂材料的能力降低了导通状态下的电阻率。具有4.8 eV带隙的单斜晶系β-Ga2O3能制备出大尺寸单晶形式，是高压电力电子器件有前途的候选者。

报告指出实现 β-Ga2O3应用的关键是了解和控制点缺陷和掺杂，并分享了杂质缺陷对载流子的影响以及界面处缺陷的研究发现和成果。其中研究发现晶体各向异性、共振能级转移和声子辅助隧穿改变了这些载流子与缺陷相互作用。

报告揭示了Cr,Fe通过共振能量转移增强红色发光峰的机制。阐明了场强协助隧穿使名义电子陷阱势垒变低的原理，发现了氧气氛退火增加镓空位浓度且在面内和深度具有各向异性的规律。揭示了远端等离子体暴露引入易移动带电缺陷的规律，阐明了二极管开态时自热效应使Ni电极扩散、氧化的失效机理。

审核编辑：刘清