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光刻技术:光学关键尺寸测量(OCD)原理

时间:2023-05-24 09:25

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作者:admin

标签: 集成电路  OCD  光刻 

导读:光刻技术:光学关键尺寸测量(OCD)原理- 集成电路芯片持续朝着密度不断增加和器件尺寸不断微缩的方向发展,其中最为关键的一个参数就是栅极线条宽度。任何经过光刻后的光刻胶线...

中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解,本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中,除教师系统地讲授外,学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告,实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。

考虑到这些内容也是目前业界关注的实用技术,征得教师和学生的同意,本公众号将陆续展示一些学生的调研结果。这些报告还很初步,甚至有少许谬误之处,请业界专家批评指正。

以下为报告PPT:

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编辑:黄飞

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