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高带宽实时示波器采用InP技术前端芯片组

时间:2009-12-31 08:59

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作者:admin

标签: InP技术  示波器 

导读:高带宽实时示波器采用InP技术前端芯片组-高带宽实时示波器采用InP技术前端芯片组安捷伦科技(AgilentTechnologies)日前宣布新一代高带宽示波器,该设备采用具有磷化铟(InP)技术的前端芯片...

高带宽实时示波器采用InP技术前端芯片

安捷伦科技(AgilentTechnologies)日前宣布新一代高带宽示波器,该设备采用具有磷化铟(InP)技术的前端芯片组,可提供突破性的功能。这款新芯片组有助于使安捷伦得以在2010上半年推出模拟带宽高于16GHz的示波器。
  
  从事高速串行数据链路设计如USBSATA或PCIExpress的工程师,都会使用示波器来量测抖动和其他参数,以确保设计符合产业的兼容标准。随着数据速率提升到8.5Gb/s以上,工程师将需要模拟带宽超过16GHz的示波器。此外,即将问世的IEEE803.2ba40/100G标准,也将带动对于16GHz以上的高质量实时讯号分析功能的需求。
  
  其他的厂商声称他们可以利用如数字讯号处理(DSP)和频域交错(或称数位带宽交错;DBI)等带宽增强技术,来达到较大的带宽。但这些技术所产生的噪声和抖动,却会严重影响示波器的量测准确度和频率响应。
  
  目前常用的硅制程技术尚无法达到16GHz以上的模拟带宽。其他厂商所使用的硅技术,晶体管切换频率在100GHz的范围内,该频率限制对于提供较大的模拟带宽是一大阻碍。因此,安捷伦投入InP制程,延伸该公司InGaPHBT(异质接面双载子晶体管)IC技术能力,高达200GHz的晶体管切换频率有助于实现高频功能。InP技术可提供相同的能力,但不致牺牲安捷伦仪器的可靠度与可制造性(manufacturability)。
  
  比起安捷伦前一代的砷化镓(GaAs)制程,InP制程技术拥有更佳的材料特性。InP技术可提供较高的饱和与峰值电子速率、较高的热传导性、较低的表面重组速率、及较高的击穿电场。这些优点意谓着模拟带宽将被投入新的极限。
  
  相较于其他的技术,InP技术还提供许多量测优点:在较高的频率下,可产生相当平坦的响应;低噪声的非传导性基板,可提高量测准确度;低消耗功率,可确保较高的可靠度。
  
  AgilentJ-BERTN4903B高效能串行BERT(可提供完整的抖动容忍度测试)与AgilentN4916B去加重信号转换器即采用了InP制程。InP技术可实现上升时间快于20ps的脉冲真实度,并预留了因应未来需求的空间。

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