纳微半导体推出采用GaNFast技术的最新DC-DC供电板

突破性的 800 V–6 V DC-DC 供电板消除了传统的 48V 中间总线转换器级，同时提高了系统效率、可靠性、成本和计算密度。该平台正在展示于NVIDIA GTC 2026 。

纳微半导体（纳斯达克股票代码:NVTS），氮化镓 (GaN) 和 GeneSiC™ 碳化硅 (SiC) 功率半导体领域的领导者 (纳斯达克股票代码：NVTS) 宣布推出采用 GaNFast™ 技术的最新 DC-DC 供电板 (PDB)，可在一个功率级中将 800 V 直接转换为 6 V。这一突破性解决方案消除了计算服务器托盘内的传统 48 V 中间总线转换器 (IBC) 级，最大限度地提高了系统效率、可靠性和宝贵的空间，从而提供简单的电力传输解决方案来支持先进的 NVIDIA AI 基础设施。

围绕传统 54 V 机架内配电构建的传统企业和云架构越来越无法支持未来加速计算平台所需的兆瓦机架密度。满足这些不断升级的电源需求需要对数据中心电源架构进行根本性转变。

NVIDIA 正在引领向 800 V 的过渡DC数据中心电力基础设施，纳微半导体正在提供正确的技术来支持这一转变。纳微半导体800 V–50 V DC-DC 平台推出是效率和功率密度方面的突破；然而，800 V 至 50 V 的转换仍需要多一个功率转换级才能向稳压器模块 (VRM) 供电，该模块通常在 12 V 或更低的电压下运行。

作为NVIDIA MGX随着未来机架设计的架构不断发展，高计算和功率密度系统可实现更高的 AI 性能，它们将需要直接 800 V 至 6 V（或 12 V）转换，以最大限度地提高机架功率密度和整体效率。直接从 800 V 进行转换，消除了 50 V IBC 级，减少了转换损耗，释放了宝贵的电路板空间，并提高了端到端系统效率。与其他已发布的 PDB 相比，纳微半导体的 6 V 输出架构通过将 VRM 转换率降低一半来提高系统性能。

纳微半导体 的 800 V–6 V DC-DC PDB 旨在以 1 MHz 开关频率在满负载下提供高达 96.5% 的峰值效率，实现 2,100 W/in³ 的功率密度。其厚度比手机薄约 20%，其超薄外形可与 GPU 板极其紧密地集成，最大限度地提高瞬态性能并提高配电效率。

下一代 800 V–6 V DC-DC PDB 消除了 48 V IBC 级，提高了系统效率、可靠性，并节省了宝贵的 PCB 面积。

初级侧采用最新 DFN8×8 双冷却封装中的 16 × 650 V GaNFast FET，采用堆叠全桥配置。中心抽头输出使用 25 V 硅 MOSFET。 1 MHz 开关可使用最小的无源器件和平面磁性器件，从而提供最大的功率密度。

纳微半导体总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示：“凭借业界领先的 800 V 至 6 V DC-DC PDB，纳微半导体为数据中心电源架构树立了新的基准。通过消除整个转换级，我们降低了系统成本和功耗，同时释放了宝贵的电路板空间，使客户能够将更多空间用于计算、内存和 GPU，并为 AI 工作负载释放最大性能。” “我们最新的基于 GaNFast™ 的解决方案展示了纳微半导体如何突破人工智能数据中心功率的界限。”

关于纳微半导体

纳微半导体公司（纳斯达克股票代码：NVTS）是氮化镓（GaN）与集成电路集成器件、以及高压碳化硅（SiC）技术领域的新一代功率半导体领军企业，致力于推动人工智能数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算以及工业电气化等领域的创新。公司在宽禁带技术、GaNFast等领域拥有超过 30 年的综合专业经验™电源IC集成了GaN电源、驱动、控制、传感和保护功能，提供更快的数据传输速度、更高的系统密度和更大的效率。GeneSiC™高压SiC器件利用专利的沟槽辅助平面技术，为中压电网和基础设施应用提供行业领先的电压能力、效率和可靠性。纳微半导体拥有300多项已发布或待发布的专利，是全球首家获得CarbonNeutral®认证认证的半导体公司。