多维科技推出应用于智能手机和可穿戴设备的超

多维科技先进的TMR磁传感器晶圆产线可为消费电子行业提供年产量数十亿颗芯片的大规模量产能力。

2024年6月24日消息，在美国 Sensors Converge 2024国际传感器及技术展览会上，专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先制造商江苏多维科技有限公司 ( MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT )宣布推出全新的超小型TMR角度传感器芯片TMR3016和TMR3017。

多维科技TMR3016和TMR3017角度传感器芯片专为消费电子应用设计，包括智能手机摄像头模组中音圈马达（VCM）的微位移测量，以及智能可穿戴设备中的对轴或离轴角度位置测量。每个传感器都具有一个由四个高灵敏度TMR元件组成的单全桥。TMR3016是单轴角度芯片，提供磁场角度方向的正弦波形的两路差分输出信号。TMR3017角度芯片提供两路单端输出信号，分别表示磁场方向的正弦和余弦波形，可实现双轴360度测量和温度补偿方案。这两款芯片设计在饱和磁场条件下工作，输出信号仅随磁场的角度方向变化，与磁场强度无关，从测量原理上实现了对杂散磁场的高度抗干扰能力。TMR3016和TMR3017均采用超小型DFN4L封装，尺寸为0.8 mm×0.4 mm×0.23mm。

TMR3016模拟输出和角度关系图

TMR3017模拟输出和角度关系图

TMR3016和TMR3017角度传感器芯片以及新近发布的TMR4101磁栅传感器芯片是多维科技全新的消费类TMR磁传感器芯片系列的组成部分，为智能手机摄像头自动对焦应用提供了升级的解决方案。多维科技从TMR磁传感器芯片的设计到晶圆制造、封装和测试的全过程，都是由多维科技的磁传感器技术领域和工程技术服务领域的业内精英和资深专家，以及自有的TMR磁传感器芯片产线设计制造完成。多维科技的产能可达年产量数十亿颗TMR磁传感器芯片，以满足行业合作伙伴在消费电子市场的大批量供货需求。

TMR3016和TMR3017典型特性

微米级线性位移测量精度；

超小型封装DFN4L（0.8 mm×0.4 mm×0.23mm），适用于空间受限的消费类应用；

信号输出强大，对机械定位和测量气隙有较宽松的容差；

出色的抗杂散磁场干扰的能力；

符合RoHS/REACH标准。

DFN4L封装尺寸图

审核编辑：彭菁