瑶芯荣获“中国IC设计成就奖-年度最佳传感器/

2024 IIC国际集成电路展览会今日在上海张江科学会堂盛大闭幕。瑶芯作为国内功率器件和数模混合信号链芯片产品的领军企业，携MEMS、IGBT、SiC MOSFET等一系列高性能产品、解决方案亮相此次展会，并荣获【中国IC设计成就奖-年度最佳传感器/MEMS】奖项。

在此次展会上，瑶芯特别展示了MEMS硅麦克风芯片，该产品为清晰的音频传输提供可靠保障，满足手机、耳机等应用场景的性能需求。瑶芯还带来了支持“零压关断”的SiC MOSFET 1200V 80mR产品，该系列产品具有极低的寄生电容和优良的高温特性，有效优化了半桥应用的“串扰”影响。而SiC MOSFET 1200V 16mR产品的亮相，更是为大功率高压直流充电桩、储能应用以及其他高压高频、大电流、低损耗应用场景提供了理想的解决方案。

除此之外，瑶芯还展示了在国内首次推出的2300V耐压SiC MOSFET产品平台，能轻松应对1500V储能系统的高压需求，简化了相关应用方案的整体成本。并且瑶芯还带来了载流能力高达140A的IGBT器件，该产品在100kW以上逆变应用方案中表现出极低的开关损耗和高开关速度，成为大电流单管并联方案的极佳选择，助力客户实现技术降本。

在IIC国际集成电路展览会暨研讨会颁奖仪式中，瑶芯荣获举办方颁发的【中国IC设计成就奖-年度最佳传感器/MEMS】奖项，表达了对瑶芯在传感器和MEMS领域持续创新和行业贡献的认可。瑶芯副总裁、董事会秘书王曙先生表示，瑶芯将继续专注于产品技术创新和质量保证，帮助客户在激烈的市场竞争中保持领先地位。

随着半导体技术的不断进步和创新，瑶芯将继续致力于推动行业先进产品/技术/方案的发展，为全球客户提供更优质的产品和服务。

审核编辑：刘清