赛灵思关于汽车电子堆叠硅互连技术演示

测试堆叠硅互连技术的车辆演示

被称之为“堆叠硅片互联技术”的3D封装方法采用无源芯片中介层、微凸块和硅通孔 （TSV）技术，实现了多芯片可编程平台。对于那些需要高密度晶体管和逻辑、以及需要极大的处理能力和带宽性能的市场应用而言，这些28nm平台和单芯片方法相比，将提供更大的容量，更丰富的资源，并显著降低功耗。