SK海力士发布全球首款321层NAND！

目前，主流的闪存芯片通常在128层或232层进行堆叠。一些厂商如长江存储已经成功研发并推出了232层闪存颗粒，其中使用了他们自己研发的晶栈Xtacking技术。这种技术通过两次堆叠128层和125层闪存颗粒、去除一定冗余并合体的方式，实现了232层的闪存颗粒。

在最新的闪存峰会上，SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存，成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品，并介绍了开发进展情况。与上一代238层512Gb NAND闪存相比，321层1Tb TLC NAND闪存的效率提高了59%。这是因为在同样大小的芯片面积上，可以堆叠更多的数据存储单元，从而实现更大的存储容量，并增加每片芯片的产量。

未来，3D NAND Flash的发展方向主要集中在提高密度和增加层数。SK海力士在ISSCC 2023会议上提交了一篇论文，展示了他们如何开发出超过300层的3D NAND技术，并以创纪录的194GBps的数据读取速度。

SK海力士表示，他们将进一步完善321层NAND闪存技术，初步计划在2025年上半年开始量产。这将推动闪存技术的发展，为存储领域提供更高的性能和更大的容量。

编辑：黄飞