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9.1.7 集电区的大电流效应:二次击穿和基区

时间:2022-03-16 09:20

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作者:admin

标签: 电流 

导读:9.1.7集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应9.1双极结型晶体管(BJT)第9章双极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线:1、国...

9.1.7集电区的大电流效应:二次击穿和基区扩散效应

9.1双极结型晶体管(BJT)

第9章双极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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代理产品线:
1、国产AGMCPLDFPGAPtP替代Altera选型说明
2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu,引脚亦可转换位置灵活重新定义
3、国产FPGA:原位替换XILINX/赛灵思SPARTAN6系列4、国科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、国科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清视频编码
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP摄像机IC

8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051单片机

9、中国芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替换XX2401

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