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6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长

时间：2022-01-18 09:28

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作者：admin

标签： SiC 

导读：6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.3界面氮化∈...

6.3.5.4 其他方法

6.3.5 氧化硅/SiC 界面特性及其改进方法

6.3 氧化及氧化硅/SiC 界面特性

第６章碳化硅器件工艺

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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