下一代EUV***长啥样？

ASML 首席商务官 (CBO) Christophe Fouquet 在比利时 imec 的年度盛会 ITF World 2023 上发表了题为“Extending Lithography into the 2030s to Support the World-Changing Semiconductor Industry”的演讲。他发表演讲并强调需要2030年代开发NA=0.75的超高NA EUV曝光技术的必要性。

他描述了自 2010 年代以来（包括未来预测）需要通过曝光和 EPE（Edge Placement Error：衡量光刻胶图像的边缘与所需位置的距离）来解决的金属布线间距的变化。并表明金属间距在 2020 年代之前的六年中一直以 50% 的速度收缩，但这种速度可能会在 2030 年代放缓并达到饱和（下图）。到目前为止，节点名称（晶圆厂用来宣传小型化的数字；下图底部绿色显示的数字）和最小金属布线的线宽是一致的，但最近出现了较大的分歧。

ASML 计划在 2023 年底前出货首个商用High NA（NA=0.55）EUV 曝光系统（用于原型制作），并于 2025 年开始出货量产设备。因此，从 2025 年左右开始，客户将能够从使用 NA=0.33 的传统 EUV 光刻工具的多重图案化切换到使用High NA EUV 光刻工具的单一图案化，从而降低工艺成本并提高产量。据说这将是可能的。

High NA机器的光源是在加州圣地亚哥开发的，分划板是在美国康涅狄格州威尔顿开发的，光学系统是在德国奥伯科亨开发的，据说有预计入驻总公司“imec-ASML High NA Lab”的五大客户（Intel、TSMC、Samsung Electronics、SK hynix、Micron Technology），将可早日接触到high NA机器。Lam Research、KLA、HMI 和 JSR，以及提供镀膜机/显影剂（清洁轨道）的 Tokyo Electron 正在合作操作该实验室的High NA EUV 曝光设备。

EUV 曝光用光源的输出功率一直在稳步增加，传统型号为 250W 至 300W，最新型号 3600D 的功率增加到 350W。在研究层面，已经做到了600W，未来800W指日可待。

Fouquet先生说，“在2030年代，使用High NA EUV设备的多重图案将与单一图案一起完成，以提高良率，并降低工艺成本，将需要更高NA的 EUV曝光设备（NA=0.75）。他指出通过 DUV（干法）、ArF（浸渍法）、EUV 和High NA EUV 曝光技术形成图案的每个晶体管的成本将发生变化。考虑到high-NA EUV的价格高于EUV曝光设备，每台已经价值数亿美元，Hyper NA EUV的开发取决于客户的要求和开发成本客户。

编辑：黄飞