一文解析EUV掩模版缺陷分类、检测、补偿

***需要采用全反射光学元件，掩模需要采用反射式结构。

这些需求带来的是EUV光刻和掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模的制造面临着许多挑战，包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。

小组分工：

周治道：文献查阅汇报

何洁：文献查阅

孟鑫昊：文献整合

梁译丹：文献整合PPT制作

编辑：黄飞