一因素或使SiC寿命缩短90%！如何破局？

3月1日，特斯拉特别在”投资者日“活动上强调了SiC封装技术，大家是否想过为什么？

这是因为碳化硅器件需要满足高温、高压的应用需求，因此对封装技术提出更高的要求。

其中，引线键合作为SiC芯片封装的关键工艺，其键合质量直接影响SiC器件性能和寿命。

相比硅基器件，SiC引线键合失效风险更大，这是因为SiC芯片的面积是硅芯片的1/2，杨氏模量是硅芯片的3倍，泊松比是硅芯片的1.6倍。

SiC芯片面积更小所能打的线的数量更少，单位线所电流会更大，所以使得SiC芯片键合线所承受的机械应力远高硅芯片。

一旦SiC器件焊料层的飘移率过大，其寿命出现非常大的下降。据报道，有些SiC模块寿命比Si模块寿命减少30%，而最高的降低了90%。

如何更好地把控SiC器件键合质量？如何进一步提高SiC器件可靠性和工作寿命？

5月25日，明锐理想已确认参加在上海举办的『汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会』，该公司产品经理胡铁城在会上带来《功率器件键合质量把控方案》的主题报告。

会上，明锐理想的报告将从目前功率器件键合质量所面临的挑战出发，寻求可提升器件可靠性与工作寿命的解决方案。

明锐理想基于多年的工业视觉检测经验，通过对底层三维视觉成像方法、图像视觉算法的研究，可对功率器件的芯片、基板、线弧、焊点、甚至是压接区域进行全面高效的3D检测；结合最新AI智能编程技术，使设备更加简单易用，对于提高终端产品安全性和可靠性具有重要意义。

审核编辑：刘清