Pixelligent新型纳米晶材料可扩展光刻技术

该公司于近期结束了一轮200万美元的股权融资，所集资金将用于纳米晶材料的商业化，据称该材料可和于光学光刻以及微电子的纳米复合涂料。

“我们利用纳米技术开发光刻用新材料，” Pixelligent创始人兼总裁Greg Cooper表示。 “业界已将光刻技术发挥到了极限，但我们相信我们能够在今后开发出具有独特光学性能的新材料借以延长光刻技术的寿命。”

Pixelligent首席执行官Craig Bandes透露，除用作光刻胶的纳米晶体之外，该公司目前正在研制“可以协助散热，将热量排出芯片”的纳米复合芯片涂层。 Pixelligent的秘笈包括针对具体用途定制的非晶硅纳米晶体的生产。该公司拒绝透露其专利纳米粒子的具体成分，只透露它们是非晶硅（nonsilicon）。

Pixelligent称，通过将这一半导电纳米晶体与光刻聚合物相结合可以改良传统光刻胶，能将集成电路的线宽做到更细。该公司还表示，通过采用其开发纳米晶涂层，能在利用现有的芯片制造设备的基础上增加收益、降低材料成本和提高生产力。

自2000年成立以来， Pixelligent就参与了美国国家科学基金会的小企业创新研究（SBIR）计划和国家标准与技术研究所的先进技术计划（ATP）。后者与Pixelligent在2007年签定了价值200万美元的合同，SBIR给予Pixelligent 600,000美元的奖励，此外Pixelligent还得到了来自商用光刻胶制造商Brewer Science、Honeywell Electronic Materials和JSR Micro的研发支持。

通过与NIST ATP签署的合同，Pixelligent开发出了一类采用特殊的感光漂白（photobleachable）材料、基于半导体纳米晶体的可逆反差增强层(R-CEL)，据称可在超高分辨率下对晶圆进行两次成象（double patterning）。如今，193纳米-波长的光线能够可靠地在65纳米工艺制程下投影（image）电路，但要将这一能力扩展到45纳米及以下则要求两次成象（采用两次单独的曝光，采用轻微偏差模式） 。

Pixelligent表示，通过借助可逆的光漂白效应，R-CEL可实现超高分辨率，避免了两次曝光的相互干扰。R-CEL可以在某个模式下有选择性地漂白以使光刻光线通过，然后逆转到不透明的状态在第二个阶段模式再次漂白。

Pixelligente有向传统供应商销售光刻胶(photoresists)，同时还计划将其有关纳米晶材料的专门技术授权给光刻材料供应商。