中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器

中科院微电子研究所研制成功40GHz静态分频器

近日，中科院微电子研究所四室InP HBT 小组研制成功基于InP/InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大于40GHz频率下正常工作，在电源供电为-5V的情况下，功耗为650mW，芯片尺寸为1.2mm× 0.6mm。这是国内第一款基于InP/InGaAs DHBT工艺的可在毫米
波段工作的超高速数字电路。

静态分频器主要由D 触发器构成，而D 触发器是数字电路的最基本单元，因此可由静态分频器的最高工作频率来评价同种工艺下更为复杂的数字电路的性能。40GHz静态分频器的研制成功，为开展InP HBT在超高速数字和数模混和电路的研究在工艺和设计上奠定了良好的基础。此外，该项成果在电路设计和测试、建模方面也取得突破。无论是分频器最高工作频率还是直流功耗，测试结果都与仿真结果很好地吻合，充分印证了InP HBT大信号模型的准确性、InP HBT工艺的稳定性和器件的一致性。电路共集成了30只InP基DHBT，全部设计和工艺都在微电子所完成。40GHz静态分频器的研制成功，表明课题组在InP HBT工艺研发和超高速数字电路设计方面已经相对成熟，为下一步向更复杂的数字电路和数模混合电路的迈进，打下了坚实的基础。