国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管

PFC电路广泛应用于高频开关电源（特别是通信电源）中。现阶段，PFC电路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，电源的损耗较大，效率偏低。

在电源的PFC电路中，将硅基肖特基二极管直接替换为碳化硅肖特基二极管，可以减小损耗，减小了对周围电路的电磁干扰，提高电源的可靠性，满足严格的电源能效认证要求。

一般来说，我们都希望在单相PFC电路中的二极管D1的反向恢复时间越短越好。上图PFC的二极管反向恢复损耗会引发MOSFET的开通损耗，也会产生电磁干扰。因此，在一个通信电源的PFC电路中，我们使用碳化硅肖特基B1D20065K来替代普通的二极管。

B1D20065K采用TO-220-2封装，是650V 20A的碳化硅肖特基二极管，具体参数如下：

反向重复峰值电压(VRRM)：650V

反向浪涌峰值电压(VRSM)：650V

正向平均电流(IF)：20A

正向不重复峰值电流(IFSM)：150A

耗散功率(Ptot)：235W

工作温度(Tj)：-55~175℃

正向压降(VF)：1.42V@6A

反向电流(IR)：1μA@650V

总存储电荷(QC)：64nC

B1D20065K的总电容电荷Qc为64nC，极小的反向恢复电荷，实现高速开关，同时降低开关损耗，有效提高电源整体系统效率。

此外，B1D20065K可替代完美科锐的CVFD20065A、罗姆的SCS220AG、英飞凌的IDH20G65C5、意法半导体的STPSC20065D以及安森美的FFSP2065A，是一个非常理想的PFC电路应用解决方案。

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