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PD快充必须要知道的几种方案

时间:2022-11-09 11:45

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作者:admin

标签: MOS管  快充  pd 

导读:前言本文以龙腾MOS管为基础,分享几种PD快充目前最常用最有效的几种拓部结构,与应用方式。可以帮助到大家更全面的了解PD快充的原理以及应用技巧。一、快充技术背景以及趋势1.P...

前言

本文以龙腾MOS管为基础,分享几种PD快充目前最常用最有效的几种拓部结构,与应用方式。

可以帮助到大家更全面的了解PD 快充的原理以及应用技巧。


一、快充技术背景以及趋势

1.PD快充背景介绍

随着智能电子产品的高速发展,显示越加清晰,像素越来越高,处理器运行速度和内存性能不断提高,这就要求其电池容量更大、能量密度更大、产品小型化、轻量化,最典型的就是手机、平板、笔记本。手机电池的容量基本都达到5000mAh,如此大的容量,对充电速度提出了更高的要求。

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2.遵循的原理-俩大技术路径

遵循的原理 是最基本的 P = U × I,快充的两条技术路径如下:

1. 高压小电流:优点是线损小,缺 点是手机端需降压,手机发热严重(仅在黑屏下快充)。

2. 低压大电流:优点是手机端损耗小,可边玩边快充,缺点是线损大,需要改进充电线材及端口

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3.USB type C的演变

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4.USB充电器产品类型

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5.USB充电器接口

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二、PD快充充电器调研

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三、PD快充拓扑图以及龙腾对应型号推荐

快充充电器拓扑-1

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快充充电器拓扑-2

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快充充电器拓扑-3

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输出电压变化过程与效率

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四、超结MOSFET在PD中应用问题

  • 1.辐射——EMI优化器件更受欢迎;
  • 2.效率;
  • 3.在LLC应用中,体二极管反向恢复问题,开关动作容易引起采样干扰;
  • 4.ACF中,会有大电流冲击,MOSFET会在大电流下关断,考验器件的dv/dt能力;
  • 5.某些设计中,待机功耗较大。
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五、SGT MOSFET在PD中应用问题

  • 1.辐射;
  • 2.体二极管反向恢复问题,CCM下容易引起VDS尖峰过高。
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