国芯思辰铁电存储器(VFRAM)PB85RS128C在仪表中应用，

在仪表设计中，数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表，它在运行期间时刻都在记录数据，如果功能设计的比较多，那么保存的数据量大，擦写次数比较多。一般需要有一个高性能的存贮器才能满足需求。

某客户在设计仪表时，需要用到一个寿命长、数据保存安全期长的存储器，该客户最终确定了拍字节的新型铁电存储器(FRAM)PB85RS128，该FRAM芯片（铁电随机存取存储器）配置为16,384×8位，通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6 次读/写操作*1，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM，且不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。

目前，拍字节PB85RS128是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求，解决了仪表中的设计忧虑。更重要的是，它的存贮时间短，在异常掉电时，利用FRAM高速写特性，瞬时将企业级固态硬盘的FTL Changes和Write Buffer保存到VFRAM中，彻底解决了企业级固态硬盘异常掉电引起的数据丢失问题。在出现仪表突然断电的情况数据能及时、安全的存贮。

拍字节PB85RS128主要参数如下：

· 容量：128Kb

· 接口类型：SPI接口(模式0和模式3)

· 工作电压：2.7伏至3.6伏

· 工作频率：25兆赫兹

· 功耗：4.2毫安（25兆赫兹）

· 低功耗：9微安（待机）

· 数据保持：10年@85℃（200年@25℃）

· 高速读特性：支持40MHz高速读命令

· 工作环境温度范围：-40℃至85℃

· 封装形式：8引脚SOP封装，符合RoHS

为了普及使用，拍字节PB85RS128封装形式除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外，还提供可穿戴设备用WSON等超小型封装形式的产品。同时，使用TSOP或SOP封装形式提供256Kbit至16Mbit的并行存储器。在利用SRAM及数据保存用电池供电的应用中，并行存储器被用作进一步降低能耗或减少电池的解决方案。此外，在企业级SSD及NVDIMM等应用场景，拍字节提供了256Mbit至4Gbit的DDR接口。

对于新型铁电存储器(FRAM)，国芯思辰PB85RS128拥有较快的响应速度以及高性价比的价格优势，可以完美替代赛普拉斯和富士通，能够给客户提供更好的价格和交期。

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