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国芯思辰|基本半导体碳化硅MOS B1M032120HK替代C

时间:2022-11-09 11:28

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作者:admin

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导读:氢能发电机特指以氢气为原料的发电机,原理类似传统内燃机,经过吸气、压缩、爆炸、排气过程,带动电机产生电流输出。氢能发电机是一种环保型的发电设备,具有无噪音、零排放...

氢能发电机特指以氢气为原料的发电机,原理类似传统内燃机,经过吸气、压缩、爆炸、排气过程,带动电机产生电流输出。氢能发电机是一种环保型的发电设备,具有无噪音、零排放和移动性强的特点。其效率要求也非常高,但传统的功率MOS已经很难满足发电机高开关频率的要求,而碳化硅MOS则可以很好的满足这一应用。

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某氢能发电机项目现需要一漏源电压1200V,电流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半导体的B1M032120HK,推荐理由:

1、该器件耐压可达1200V,在Tc=100℃时,最大ID可达84A,完全满足项目需求。

2、导通电阻低至32mΩ,可以确保B1M032120HK在高频工作时,导通损耗很低,可以降低MOS的发热量。

3、B1M032120HK的工作结温范围在-55~175℃,可以在很恶劣的条件环境下稳定运行。

4、B1M032120HK为TO-247-4封装,可替代科锐的C3M0032120K、罗姆的SCT3040KR、英飞凌的IMZ120R045M1、安森美的NTH4L040N120SC1。

5、基本半导体为国产品牌,性价比相比其它更有优势。

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