国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D3

SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压，散热要求低，是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用WOLFSPEED的碳化硅为主，但由于各种因素，许多工程师正在寻求替代器件。

本文重点提到基本半导体的B2D30120HC1，该器件可pin-to-pin替代C4D30120D，其内部结构和引脚定义基本一致，B2D30120HC1和C4D30120D的参数对比：

●由上图可知，二者的反向重复峰值电压均为1200V，此外，B2D30120HC1反向漏电流（VR=1200V , TJ=25°C）最大值为120uA，C4D30120D最大值为200uA，相比之下，在反向截止状态时B2D30120HC1具有更低的电能消耗，热损更低，产品效率高；

●正向平均电流（TC=25˚C），B2D30120HC1为108A，C4D30120D为88A；

●正向重复峰值电流方面，B2D30120HC1为30A，C4D30120D为68A，二者均能抵抗开关瞬间的电力波动，有较好的安全性；

●结温温度是电子设备中实际半导体碳化硅二极管所能耐受的最高温度，反应了产品对环境温度的适应能力。二者的结温温度范围为-55°C-175°C，均符合军工级器件的温度要求，能够适应苛刻的温度环境。

综合以上参数及封装对比，B2D30120HC1碳化硅二极管与C4D30120D，典型电性能参数、内部结构和引脚定义基本一致，可实现完美的pin-to-pin兼容设计，无需更改任何外部电路。

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