国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC40N04BDE​用于PCR仪T

YC40N04BDE是优晶的N沟道MOSFET，该芯片具有小尺寸、低压大电流等特点，广泛应用在DC/DC转换、服务器的板载电源以及同步整流线路中。

某工程师在PCR项目TEC控制部分需要用到4个N沟道场效应管来控制TEC，该工程师想要了解一些国产厂牌的MOS，因此国芯思辰给其介绍了优晶的N沟道场效应管YC40N04BDE。

YC40N04BDE具有以下特点：

1、采用沟槽型功率中压MOSFET技术，VDS耐压可以达到40V，ID可以达到40A，对于低压设计留有足够的余量。

2、采用高密度单元设计，RDS(on) 低至8mΩ（VGS=10V），极低的导通电阻，可以减少开关损耗。

3、工作温度在-55℃-150℃之间，有较强的环境温度适应性，可以适用于低温或者高温的环境。

4、采用DFN3*3封装，具有较强的散热能力。

封装示意图：

综上，YC40N04BDE在性能上都能满足TEC驱动的设计要求，非常适用于PCR仪的设计。

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