国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10

车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。

其中PFC部分将工频交流电升压转化为高压直流电输出给DC/DC部分做输入，如果PFC设计的损耗过大、采用的元器件过多，就无法实现高效率、小体积设计。

通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，文本针对车载充电机的PFC升压部分讲到基本半导体650V的SiC肖特基二极管B1D10065F，该二极管是支持车载的SiC肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关，提升车载充电机整机效率。

碳化硅肖特基二极管B1D10065F的特点如下：

1、结温最大额定值为175℃，存储温度范围为-55~175℃，符合高温应用要求。

2、反向电压（重复峰值）最大额定值为650V，耐压性能出色，满足车载大电压应用对二极管的要求。

3、连续正向电流最大额定值为10A，可承受的正向浪涌电流最大额定值为75A（10ms正弦波，25℃），浪涌保护能力强。

4、在25℃温度条件下，产品的正向压降最大为1.45V，正向导通压降低，反向电流的典型值为1uA，反向电流小，系统功耗低。

B1D10065F封装TO-263-2

基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ、英飞凌的IDK10G65C5、意法半导体的STPSC10H065G、安森美的FFSB1065B。

采用基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10065F，可获得更快的开关频率和更高的效率，该器件是车载充电机PFC设计的理想选择。

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