IR Drop与封装（二）

** CPA（Chip Package Analysis）**

如下图所示，CPA model是Pkg Layout（封装基板设计）通过工具提取出来的一个模型，主要包括封装基板中的RLC参数。CPA可以提供每个bump的寄生参数，可以用来做chip+package的协同仿真。

chip+package可以做static分析，仿真可以得到每个pad的电流，可以为pad的过流能力是否超标做参考，这种方式属于直流仿真；当做dynamic仿真时，属于交流仿真。

问题

1.在抽取CPA model时，根据pin group不同，可以分为Lumped Grouping/Group by Each Pin/Group by X-Y Grid三种方式，这三种方式IR结果相差比较大，每个公司根据自己的经验选取方式不统一。Lumped Grouping所有pin一起抽，IR最小；Group by Each Pin 每个pin单独抽，IR最大，但是工具计算量大，run time长；Group by X-Y Grid 介于两者之间。

2.带CPA和不带CPA仿真，结果相差大吗？Static IR相差不大，Dynamic IR相差较大（尤其翻转率高的地方），为啥呢？自己思考下.

3.封装上的走线不均匀，连接弱的地方IR会比较大。另外GUI界面可以看到每个bump的电阻和电感。