SiGe-HBT：用于6G的双极晶体管

德国半导体代工厂X-FAB和莱布尼茨创新微电子研究所（IHP高性能微电子研究所）签订了使用IHP研究所130纳米SiGe BiCMOS平台的许可协议。了解到这使得X-FAB能够大规模生产用于移动通信（5G毫米波和6G）、V2V（车对车）通信和工业中通信应用的高端双极晶体管，意味着该技术的性能优势也将适用于大规模生产。

新创建的130纳米平台增强了X-FAB的技术组合，并提供了一种解决方案，可实现未来通信要求所需的高性能参数。应用示例包括Wi-Fi 6（以及未来的Wi-Fi 7）接入点、即将推出的蜂窝基础设施（尤其是5G毫米波和即将推出的6G标准）和V2V通信。该技术对于>100 GHz雷达系统（适用于汽车自动驾驶类应用）的开发也至关重要。

该许可协议是在2021年合作的基础上签定的，当时X-FAB的铜后端被添加到IHP的SG13S和SG13G2前端技术以增加带宽。关于SiGe平台，X-FAB将在2022年第四季度与选定的早期采用者一起开展原型设计项目。早期访问PDK使得该公司位于巴黎附近的制造工厂X-FAB France在进行批量生产前进行原型制作。

IHP科学总监Gerhard Kahmen教授评论说：“将IHP的HBT（异质结双极晶体管）集成到X-FAB的RF平台中，将为客户提供差异化的SiGe-BiCMOS技术，从而带来进一步的性能优势。我们两个组织之间的技术转让是‘产业界和研究机构如何共同努力取得优异成果’的一个很好的例子。”

“X-FAB和IHP此前就在结合各自的资源以开发先进的半导体解决方案方面有着很好的磨合。”X-FAB射频技术总监Greg U'Ren博士评论：“最新的SiGe合作，预示着一个激动人心的新阶段，是围绕SiGe BiCMOS进行更多创新的起点，这将有助于定义未来几年的无线通信行业，并在工业自动化、消费和电子市场开辟新的应用。”

编辑：黄飞