射频单片集成电路(RF-MIC）发展

早期的射频集成电路（RFIC）主要是以硅基双极晶体管分立器件为主，将二极管、电感器、电容器等无源元件与之互连并集成在PCB 上，从而形成射频混合集成电路。

20 世纪90 年代以来，随着IC工艺技术的进步，RFIC 实现由各种晶体管芯片与二极管、电感、电容等无源元件（或芯片）在陶瓷基板上的互连集成，然后对其进行小型化封装或微封裝，大幅度缩小了射频电路的尺寸，快速取代了旧式使用分立器件的混合电路，使 RFIC 得到了长足的进步和发展，并推动了小型化封装及无线通信技术的飞跃发展。

进人21 世纪后，随着CMOS 技术、射频 GaAs芯片技术、射频 GaN 芯片技术的进一步发展，现已逐步朝着射频单片集成电路(RF-MIC）的方向发展。

射频 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工艺技术制作的射频器件和集成电路。SOI是指在体硅材料中插人一层 SiO2绝缘层的耐底结构。

在SOI衬底上制作低电压、低功耗集成电路是深亚微米技术节点的主流选择之一。

RF-SOI 具有如下优点。

（1） RF-SOI 具有很高的工作频率，器件的fT/fmax可提高到亳米波工作频率的3~5倍

 (2） RF-SOI 可以实现集成电路堆叠(IC Stacking）结构，同时提高了功率及能效比。

 (3)   RP-SOI 工艺采用的 SOI 衬底可降低寄生效应，使射频芯片的品质因数更高、损耗更低、噪声系数更好，同时也提升了产品的绝缘水平与线性度。

 (4）RF-SOI 可以将逻辑电路和控制电路集成在同一芯片上，而 GaAs 工艺则无法做到这一点，因为 GaAs 器件在应用中需要搭配一个控制芯片。采用 RF-SOI 工艺还可以将功率放大器（Power Amplifier, PA)和控制功能电路集成在同一个芯片上。

(5）RF-SOI 具备后栅偏压可调（Back-Gate Bias ）功能，可以依照使用的需求微调亳米波射频线路。

目前，RF-SOI 技术在智能手机及 WiFi 等无线通信领域己逐步取代化合物工艺技术。

审核编辑：刘清