恩智浦发布Airfast 3射频功率晶体管

　　智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今天推出Airfast第三代产品，首发的是四颗用于蜂窝通信宏基站重点 LDMOS晶体管方案。全新Airfast 3在技术上达到了新的里程碑，在满足所有当前无线标准的严苛要求的同时，提升了性能指标，具备宽广的瞬时带宽，单科器件即可覆盖整个通信频段。

　　恩智浦Airfast 3产品在效率、增益、射频输出功率和信号带宽方面提供行业领先的性能，同时大幅减少了提供给定射频输出功率水平所需的尺寸。相比Airfast 2，第三代产品的效率提升了4%（53%的末级效率和高达50%的产品组合效率），热性能提升了20%，提供高达90 MHz的全信号带宽并且空间节省高达30%。

　　恩智浦射频功率事业部执行副总裁、总经理Paul Hart表示：“减小蜂窝基站的尺寸需要持续改进射频功率放大器。我们的第三代Airfast解决方案提供行业领先的性能，并且采用推动行业进步所需的封装尺寸。”

　　全新Airfast 3高功率LDMOS晶体管这四款全新Airfast 3 LDMOS射频功率晶体管设计用于对称Doherty放大器架构，包括：

　　上市时间全新Airfast 3射频功率晶体管目前提供样片，预计将于2016年第四季度开始量产。还提供各种频率的参考电路。有关定价或其他信息，请联系您当地的恩智浦销售办事处或恩智浦指定经销商。有关恩智浦第三代Airfast产品的更多信息，请访问官网。