LTE-A频段复杂度提升，芯片商猛攻RF前端

　　射频（RF）前端方案将成为长程演进计划（LTE）芯片商拓展市占的重要武器。高通（Qualcomm）为持续提升于全球LTE市场的影响力，除已推出支援Category 6传输速度的进阶长程演进计划（LTE-A）芯片组外，更让旗下处理器及高通参考设计（QRD）皆开始支援其自有的RF360射频前端方案，藉此协助移动设备制造商更简单地推出支援多频多模的终端产品。

　　高通全球副总裁暨***区总裁张力行（图1）表示，美国AT&T、德国电信（Deutsche Telekom）、法国Orange等全球多家电信商，皆计划于今年第四季推出LTE-A CAT6商用网路，最高可以利用载波聚合（Carrier Aggregation）技术支援300Mbit/s的数据传输率，因此下半年消费者将可以购买到内建支援CAT6标准数据机（Modem）的智能手机及平板电脑等。

　　图1　高通全球副总裁暨***区总裁张力行指出，Snapdragon 810与808处理器均采用20纳米制程制造，同时支援RF360前端方案。

　　张力行进一步指出，随着应用市场持续推展，LTE-A技术亦须不断演进，以完善使用者体验。有鉴于此，第三代合作伙伴计划（3GPP）已于去年第四季定义超过六十五种的载波聚合频段组合，其中包括五十一种跨频（Inter-band）及十四种同频（Intra-band）排列组合，可让电信营运商就自有频段区间选择两个或三个载波，甚至是跨分频双工（FDD）/分时多工（TDD）-LTE频段进行整并，以提升传输速度表现。事实上，由于LTE-A时代各家电信商所采用的蜂巢式通讯技术（Cellular Mode）及频段将益趋复杂（图2），移动设备制造商多半的做法係依照不同地区支援的多频多模情形，以覆盖不同频段的射频前端方案推出超过十种的单品 （SKU），但此举将造成额外的终端开发成本。

　　图2　LTE网路频段的多样性将提高RF元件及数据机的设计复杂度。资料来源：高通

　　张力行强调，处理器厂商于LTE-A市场竞技的重点已不局限于数据机与应用处理器的技术，更将延伸至射频前端，因此，高通自去年开始跨足射频前端解决方案设计，并推出RF360方案。

　　高通的RF360前端解决方案分为三大部分（图3）--天线调谐器（Antenna Tuner）、封包功率追踪芯片（Envelope Power Tracker），以及采用互补式金属氧化物半导体（CMOS）制程的整合型功率放大器；其中，功率放大器又分为整合天线切换器的多频多模功率放大器 （Multi-band Power Amplifier， MMMB PA）--QFE2320，以及整合发送器/接收器（Transmitter/Receiver）模式切换器的高频MMMB PA--QFE2340。

　　图3　高通RF360前端解决方案优势  资料来源：高通

　　据了解，去年底Google推出的Nexus 5手机已率先导入高通的封包追踪芯片组--QFE1100，藉此降低移动设备PA发热及耗电情形；而今年2月中兴发布的旗舰手机Grand S II LTE，则采用了整套的RF360方案。

　　高通指出，RF360方案不仅拥有小尺寸优势，且可覆盖全球所有的2G/3G/4G蜂巢式通讯技术及频段组合，包括LTE TDD/FDD、宽频分码多工/演进式高速封包存取（WCDMA/HSPA+）、CDMA 1x、分时-同步分码多重存取（TD-SCDMA）及全球移动通讯系统/增强数据率演进（GSM/EDGE），以及700MHz？2，700MHz的频段，因此制造商可以单一SKU向全球市场销售。

　　展望未来，高通骁龙（Snapdragon）410、Snapdragon 610、Snapdragon 615等处理器系列的QRD平台皆已支援RF360前端解决方案，而该公司针对高端移动设备所推出的64位元芯片组Snapdragon 810及808系列亦支援该方案。显而易见，高通将以RF360前端解决方案与其他处理器厂拉开竞争差距，于频段日益复杂的LTE-A市场中站稳脚步。

　　值得一提的是，高通RF360前端解决方案正式获中兴旗舰级手机Grand S II LTE采用，意味其CMOS PA技术已可满足LTE市场的高频操作性能需求。未来在高通大力推广RF360方案的推助下，CMOS PA将于支援LTE及LTE-A载波聚合技术的移动设备市场中快速提高渗透率。