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电源开关瞬态保护设计方案

现代电子系统中的元件集成通过增加功能来提高性能。大多数此类系统使用需要保护的敏感且昂贵的电子器件（现场可编程门阵列、专用集成电路和微处理...

阅读全文2025-07-16

基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计

鉴于对能源可持续性和能源安全的担忧，当前对储能系统的需求不断加速增长，尤其是在住宅太阳能装置领域。市面上有一些功率高达 2kW 且带有集成式储...

阅读全文2025-07-16

江苏润石RS299高精度电流检测放大器参数特性数

江苏润石RS299高精度电流检测放大器参数特性数据手册与EDA模型...

阅读全文2025-07-14

一文详解NMOS与PMOS晶体管的区别

在电子世界的晶体管家族中，NMOS（N 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）与 PMOS（P 型金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）如同一对默契的 “电子开...

阅读全文2025-07-14

中微爱芯推出轨到轨运算放大器AiP861X系列

面对物联网、可穿戴医疗、便携消费及工业传感领域中对设备超长续航的极致要求，超低功耗运放产品应运而生。中微爱芯推出5uA静态电流，150KHz带宽的...

阅读全文2025-07-14

氧化镓功率器件动态可靠性测试方案

在氮化镓和碳化硅之后，氧化镓(Ga₂O₃)正以超高击穿电压与低成本潜力，推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。...

阅读全文2025-07-11

圣邦微电子推出单N沟道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。...

阅读全文2025-07-10

谷泰微GT834XP系列运算放大器产品介绍

GT834XP系列产品提供低电压运行、轨到轨输入和输出，具备出色的速度/功耗比，1.1MHz的带宽和0.4V/μs的压摆率。这些运算放大器单位增益稳定，具有超低输入...

阅读全文2025-07-10

安森美EliteSiC MOSFET与栅极驱动器在电动汽车电力

在欧盟2035年零排放目标等雄心勃勃的计划推动下，从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在加速。为了吸引消费者，电动汽车必须拥有足够的续航里程，支持...

阅读全文2025-07-10

GAN功率器件在机器人上的应用实践

GaN器件当前被称作HEMT(高电子迁移率晶体管)，此类高电子迁移率的晶体管应用于诸多电子设备中，如全控型电力开关、高频放大器或振荡器。与传统的硅金...

阅读全文2025-07-09

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