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GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别

如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别，首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性，然后再根据材料特性分析具体应用。...

阅读全文2025-03-14

TO-252封装N沟道MOSFET，智能机器人领域的首选器件

从工厂流水线到家庭服务，人形机器人正掀起新一轮革命。但无论是奔跑跳跃的关节电机，还是精准避障的传感器，背后都离不开最基础的“隐形功臣”—...

阅读全文2025-03-14

高性能N沟道MOSFET是开关、放大和驱动领域的最优

N沟道MOSFET通过控制栅源电压来控制源漏间电子通路的导通与截止。当栅源电压高于阈值电压时，栅极下方会形成N型导电沟道，源极电子在电场作用下流向...

阅读全文2025-03-14

一文详解寄生参数对栅极震荡的影响

在现代电子电路设计和应用中，寄生参数是指那些并非设计者最初所期望的，但在电路或元器件中由于物理结构、材料特性或布局布线等因素而自然产生的...

阅读全文2025-03-14

碳化硅技术赋能EA10000系列电源的优势

为减缓气候变化的步伐，人类在非化石燃料、可再生能源解决方案方面取得了进展，并且交通领域的电气化进程也在加速。这些新兴技术几乎都要求使用大...

阅读全文2025-03-13

IGBT IPM的模拟温度输出功能

VOT输出是将LVIC单元的温度转换为模拟电压并输出的功能，主要用于监控温度，以便在发生超出预期的温升时提供保护。...

阅读全文2025-03-13

IGBT模块的反向恢复现象

IGBT模块的反向恢复现象是指在IGBT关断时，其内部集成的续流二极管（FWD）从正向导通状态转变为反向截止状态过程中出现的一些特定物理现象和电气特性...

阅读全文2025-03-13

入局即王炸！2MSPS，24位！又一国产ADC打入高端局

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）ADC是连接模拟世界和数字系统的桥梁，是信号链芯片中的核心。如何提高ADC的采样率（速度）、分辨率（精度），同时又降...

阅读全文2025-03-13

SiC MOSFET的静态特性

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几...

阅读全文2025-03-12

PMOS与NMOS的工作原理

此处以增强型PMOS，NMOS为例，通常说的MOS管说的都是增强型MOS管。...

阅读全文2025-03-12

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