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PMOS LDO和NMOS LDO的特性对比

LDO，英文全称是Low Dropout Regulator, 即低压差线性稳压器。输入和输出均为直流，压降较低，可用于稳压。其包含三个基本功能元件：一个参考电压、一个通...

阅读全文2025-03-12

旗舰型 / 紧凑型 / 掌上型三箭齐发，EGBox 打造行

历经多年技术研发与行业需求深耕，EasyGo半实物仿真事业部正式推出EGBox系列产品，覆盖工业研发测试、创新实验设计及高校教学实践全场景。该系列产品...

阅读全文2025-03-12

SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法

在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中，由第三代半导体材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由传统硅基（Si）制成的Si IGBT。...

阅读全文2025-03-12

纳芯微发布新一代CSP封装MOSFET NPM12017A系列

纳芯微正式发布全新一代CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET——NPM12017A系列，该系列产品是对纳芯微已量产的CSP MOS的完美升级与补充。新一代CSP MOS进一步优化了...

阅读全文2025-03-12

MDC91128S数据手册#128 通道、20 位电流输入 ADC

MDC91128 是一款 128 通道、20 位或 16 位电流输入模数转换器 (ADC)。它在单个封装中同时集成了电流到电压转换和模数(A/D) 转换。多达128 个低电平电流输出器件...

阅读全文2025-03-11

圣邦微电子SGM58201 24位高精度Σ-Δ ADC 最高22Bits

如果您正在寻找一款具备高精度、低温漂和高集成度的 ADC，SGM58201 是一个理想的选择。它不仅能提升测量系统的精度和稳定性，也为高端测量应用提供了可...

阅读全文2025-03-11

ADA4945-1高速、±0.3µV/°C 失调漂移、全差分ADC驱动

ADA4945-1是一款低噪声、低失真、全差分放大器，具有两种可选功率模式。该器件采用3 V至10 V的宽电源电压范围工作。低直流失调、直流失调漂移和出色的动...

阅读全文2025-03-11

HMC1082 GaAs pHEMT MMIC中等功耗放大器，5.5-18GHz技术手

HMC1082CHIP是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)驱动放大器，工作频率范围为5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供24 dB典型增...

阅读全文2025-03-11

江苏润石数模转换芯片RS1324介绍

RS1324是一款低功耗的四通道12位数模转换芯片，工作电压支持2.7V至5.5V，支持SPI、QSPI、Microwire和DSP接口互联，用于实现数字信号控制输出模拟电压、还原模...

阅读全文2025-03-10

上海海思AC9610 2Msps 24bit ADC芯片介绍

在工业自动化、医疗装备、高端仪器仪表、精密传感器等重要的领域，数据采集的速度和精度对整体系统性能起着决定性作用。...

阅读全文2025-03-10

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