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BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驱动隔离供电的性价比最优

在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趋势中，驱动隔离供电方案的性能与成本成为关键制约因素。基本半导体的 BTP1521P 和 BTP1521F 通过技术整合与设计...

阅读全文2025-03-01

国产碳化硅（SiC）功率器件综合优势扳倒进口G

国产碳化硅(SiC)功率器件综合优势扳倒进口GaN功率半导体，国产碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和应用场景上的优势，使其在汽车、工业和新能源领域占...

阅读全文2025-03-01

慧能泰PD DRP快充协议芯片HUSB280A介绍

咱们就不让各位等太久了，主打一个效率与激情!这不马不停蹄地带着爆款新品：集成两颗N-MOSFET，能做到双向100W的PD DRP快充协议芯片HUSB280A来跟大家见面了...

阅读全文2025-03-01

超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET，不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从...

阅读全文2025-03-01

国产SiC碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析

国产碳化硅MOSFET行业乱象的深度分析，产品乱象本质上是技术追赶期“速度”与“质量”失衡的产物。唯有通过技术深耕、标准完善与生态重构，才能实现...

阅读全文2025-03-01

详解必易微半桥LLC谐振型开关电源控制器KPE2593

新品推出背景正如《必易微推出高性能电流模式控制，半桥 LLC 控制器 KPE2592X》所述，半桥 LLC 谐振型开关电源控制器 KPE2592X 采用电流模式 (Current Mode,...

阅读全文2025-02-28

江苏润石RS844x系列运算放大器介绍

压摆率（Slew Rate）表征输出信号建立的时间，包括Low to High和High to Low两种情况。运算放大器有很多指标是互相掣肘的，比如带宽与功耗，带宽越高，功耗就...

阅读全文2025-02-28

ATA-2031高压放大器在复合材料板超声无损探伤中的

实验名称：ATA-2031高压放大器在复合材料板超声无损探伤中的应用实验方向：复合材料，超声导波，无损检测，信号处理，深度学习实验设备：ATA-20321高压...

阅读全文2025-02-27

运算放大器的基本定义和工作原理

从本文开始，我们要为您介绍在电路设计中非常重要且会频繁出现的角色——运算放大器。我们会说明运算放大器的基本定义、内部原理、运作方式以及它...

阅读全文2025-02-27

安森美SiC Cascode JFET的背景知识和并联设计

随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共...

阅读全文2025-02-27

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