基本半导体推出UPS的碳化硅MOSFET模块BMF240R12E2G3

众所周知，碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，可以更好地满足应用需求。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点：

更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

基本半导体推出兼容EasyPACK™ 2B封装的工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E2B，该产品基于高性能6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

BMF240R12E2G3产品优势：

更稳定导通电阻：新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的Rds(on)波动。

更优异抗噪特性：宽栅-源电压范围（Vgss: -10V~+25V），及更高阈值电压范围（Vth: 3V~5V），便于栅极驱动设计。

更高可靠性：高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善长期高温度冲击循环的CTE失配。

应用领域：燃料电池DCDC、数据中心UPS、大功率快速充电桩等。

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