STM32的三种低功耗模式介绍

接下来我们就详细的看一下这三者有何区别。

1、睡眠（Sleep）模式

● 进入睡眠模式

进入睡眠模式有两种指令：WFI（等待中断）和WFE（等待事件）。根据Cortex-M内核的SCR（系统控制）寄存器可以选择使用立即休眠还是退出时休眠，当 SCR 寄存器的 SLEEPONEXIT（bit1）位为 0 的时候使用立即休眠，当为 1的时候使用退出时休眠。

CMSIS（Cortex 微控制器软件接口标准）提供了两个函数来操作指令 WFI 和 WFE，我们可以 直接使用这两个函数：__WFI和__WFE。FreeRTOS 系统会使用 WFI 指令进入休眠模式。

● 退出休眠模式

如果使用 WFI 指令进入休眠模式的话那么任意一个中断都会将 MCU 从休眠模式中唤醒，如果使用 WFE指令进入休眠模式的话那么当有事件发生的话就会退出休眠模式，比如配置一个 EXIT 线作为事件。

当 STM32F103 处于休眠模式的时候 Cortex-M3 内核停止运行，但是其他外设运行正常，比如 NVIC、SRAM等。休眠模式的功耗比其他两个高，但是休眠模式没有唤醒延时，应用程序可以立即运行。

2、停止（Stop）模式

停止模式基于 Cortex-M3 的深度休眠模式与外设时钟门控，在此模式下 1.2V 域的所有时钟都会停止，PLL、HSI 和 HSE RC振荡器会被禁止，但是内部 SRAM 的数据会被保留。调压器可以工作在正常模式，也可配置为低功耗模式。如果有必要的话可以通过将 PWR_CR 寄存器的FPDS位置 1 来使 Flash 在停止模式的时候进入掉电状态，当 Flash 处于掉电状态的时候MCU从停止模式唤醒以后需要更多的启动延时。停止模式的进入和退出如表所示：

3、待机（Standby）模式

相比于前面两种低功耗模式，待机模式的功耗最低。待机模式是基于 Cortex-M3 的深度睡眠模式的，其中调压器被禁止。1.2V 域断电，PLL、HSI振荡器和 HSE 振荡器也被关闭。除了备份区域和待机电路相关的寄存器外，SRAM 和其他寄存器的内容都将丢失。待机模式的进入和退出如表所示：

退出待机模式的话会导致 STM32F1 重启，所以待机模式的唤醒延时也是最大的。实际应用中要根据使用环境和要求选择合适的待机模式。