STM32系统的应用中如何避免数据受断电影响

在嵌入式设备的开发中，断电时通常需要保存一些非易失性数据。如果添加了系统配置，用户定义的信息等，并且添加了额外的ROM IC（例如基于I2C的24C02等），则额外的PCB空间将增加，硬件成本将增加，并且产品将减少。如果仅从实用角度出发，在诸如STM32系统的应用中，作者建议可以尝试以下两种方法并作为参考。

基于备份寄存器

原理：对于大容量MCU系列，它具有42个16位备份寄存器，而中小型微处理器仅具有10个16位备份寄存器。以stm32f103c8t6为例，这42个备份寄存器的地址偏移量为：0x04〜0x28、0x40〜0xbc，可以存储84个字节的数据。备用寄存器取决于备用电源。当外部VDD掉电时，只要系统的Vbat可以正常存在，Bakeup domaain寄存器的内容就可以正常保存。

软件编程的要点如下：以一个项目中常用的案例为例

函数初始化：

读取备份寄存器：void BKP_ WriteBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR，uint16_ t Data）

读取备份寄存器：uint16_ t BKP_ ReadBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR）

此方法简单明了，但由于缺少可用空间，因此仅适用于保存少量数据，例如用户在可穿戴设备中的通用配置数据。

基于内部闪存

原理：闪存，也称为闪存，也是可以重写的存储器。它分为nor flash和NAND flash。闪存通常不用于代码存储场合，例如嵌入式控制器中的程序存储空间。而NAND闪存通常用于大数据存储场合，例如U盘和固态硬盘，它们通常是NAND闪存类型。

在STM32芯片中，闪存的读写单位均基于“页面”。以stm32f103c8t6为例，每页大小为2K字节；

软件编程要点

释放写保护释放：此方法基于以下前提：允许当前的读写Flash，并且允许当前的Flash进行写操作。因此，目前暂时不讨论某些API，例如optionbytes操作和flash读写保护操作。

Flashwrite：单个uint32_ T数据写入的简单流程图如下：

Flashread：对于单个int数据读取，它相对简单，可以通过以下语句完成：rddata =（*（）__ IOuint32_ t *）dataAddr）；

由于SW中涉及许多API，并且编码人员还需要理解许多其他背景知识，因此使用此方法相对复杂。但是，由于数据保存在页面中，因此页面大小最大为2048字节，因此该方法可用于保存掉电时不容易丢失的大数据。考虑到闪存读写保护的逻辑机制，最好在不考虑数据安全性的情况下使用此方法。

对于这种断电保护数据方法，这里只是丢砖引玉，欢迎您提出更好的方案。
编辑：hfy