Infineon IM828最小巧、最紧凑高性能1200V碳化硅IPM的

为了保护环境，降低功耗已成为全球面临的重大挑战，正因如此，变频器日益广泛用于各类型设备。借助变频器提高能效是重要目标。要求大电流和高功率的应用中通常使用硅（Si）IGBT，因为在大电流条件下，IGBT的饱和电压低于MOSFET。然而，IGBT在关断过程中的拖尾电流导致损耗增加，限制了其在高速开关中的应用。

基于CoolSiC™ MOSFET的技术，CIPOS™ Maxi IPM IM828系列推出全球首款采用压铸模封装的1200 V碳化硅IPM，集成了一个优化的6通道1200V SOI栅极驱动器和6个CoolSiC™ MOSFET。作为最小巧、最紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，因为其嵌入式SOI栅极驱动IC经专门优化，可减小开关振荡。此外，它采用紧凑式封装，得益于使用具备很高热导率的DBC基板，IM828-XCC提供的额定功率超过4.8 kW，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它针对工业应用进行了优化，例如供暖通风空调（HVAC），风扇电机，泵和电机驱动器的功率因数校正。采用先进的电机控制引擎 （MCE），无需任何编码即可实现最先进的无传感器磁场定向控制 （FOC）。

产品规格：EVAL-M1-IM828-A
相关器件：IM828-XCC，IMBF170R1K0M1，ICE5QSAG和IFX25001ME V33

►场景应用图

►产品实体图

►展示板照片

►方案方块图

►核心技术优势

• 1200V 绝缘体上硅(SOI) 门极驱动IC
• 集成自举功能

• 过电流保护

• 全通道欠压锁定保护

• 触发保护时六个开关器件全部关闭

• 内置死区时间，防止直通短路

• 独立的热敏电阻用于过温保护

• 当VBS=15V时，允许负VS电势达到-11V

• 独立的热敏电阻用于过温保护

• 三相桥低端开路，适用于单/三电阻相电流采样

• 故障清除时间可调

• 节约系统成本，设计简单

• 投入市场周期短

►方案规格

• 输入电压: 380~480VAC

• 4.8kW电机功率输出

• 输出电流: 15A/19A (低速）

• EMI滤波器

• 默认配置单相分流电流传感

• 直流母线电压检测

• 故障诊断输出