igbt和mos管怎么区分

　　igbt和mos管怎么区分

　　一说到开关，大家都不陌生，如我们家里的灯开关、家用电器的开关等，这些开关都是可以用手控制的，按一下就开，按一下又关。

　　然而，在电子电路中，本来各种电子元器件就很小，要再装一个手控的开关就会占用很大空间。另外，电子电路经常涉及到高频信号，也就是说，开关通断的切换速度要非常快，手控就更不现实了，那该怎么办呢？答案就在于开关管！

　　所谓开关管，其实就是各种半导体器件，如二极管、三极管、场效应管、晶闸管和IGBT等，这些半导体器件都可用作电子开关，控制电路的导通和关断。其中场效应管（本文均指MOS管）和IGBT都是全控型开关管，换言之，IGBT和MOS管在电路中的导通和关断都是可以用触发信号控制的。那这IGBT和MOS管有没有区别呢？显然是有的。

　　MOS管和IGBT都是常见的开关管，常用在开关电源、变频器、电动汽车等的电路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驱动方法也基本相同，绝大多数场合它们都是作为电子开关来使用。

　　从管脚来看，IGBT的3个管脚（正面）依次为栅极、集电极和发射极，MOS管的3个管脚（正面）依次为栅极、漏极和源极。从栅极管脚上可以看出，IGBT和MOS管都属于绝缘栅型管，而IGBT的另2个管脚“集电极和发射极”显然和三极管的管脚相同。

　　综上，我们不难发现，IGBT其实就是MOS管和三级管的复合体，所以称为绝缘栅双极型晶体管，又称场效应三极管。IGBT充分利用了场效应管和三极管的优点，具有高电压、高输入阻抗、热稳定性好、电压驱动型、大电流等优点。

　　MOS管与IGBT的特点

　　我们知道MOS管和IGBT管都是电压型控制器件，它们的输入电阻都很高，所以栅极电流都很小，其驱动功率都小，驱动电路可以做的很简单。不同的是对于场效应（MOS）管来说，有的MOS管它的漏极D和源极S可以互换使用，在使用上比较灵活，而绝缘栅双极晶体管IGBT从制作结构来说要比MOS管复杂一些，从等效图可以看出，它可以等效一个由PNP三极管和增强型NMOS管组合而成的功率晶体管，如下图所示。

　　从使用实效上来看，IGBT在使用上有着更突出的优点，比如IGBT在导通工作时它的导通电流密度大，因为从等效电路看，它的主电路类似三极管，工作电流为集电极电流IC，它的工作电流一般是MOS管的数十倍，因此在电磁炉主电路和变频器主电路种常会用到IGBT管；第二个优点是，当IGBT导通工作后，它的导通电阻很低，在一定的芯片面积和电压下，IGBT的导通电阻只有MOS管的十分之一；因此可以通过高电压和大电流，比如在有的变频器上所用的IGBT可以承受上千伏的电压和上千安培的电流。