如何计算电机驱动器的功耗？

　　在为特定应用选择电机驱动器IC 1时，一个关键考虑因素是可通过该器件驱动的最大电流。器件和PCB的热性能常常限制了电机驱动器能够安全处理的电流。正因如此，在设计电机应用时，计算电机驱动器的总功耗至关重要。

　　要计算电机驱动器中的近似功耗，必须考虑电机驱动器IC内部的所有功耗源，例如FET导通电阻中的功耗。

　　Rds（on）耗散

　　电机驱动器IC内最大的功耗源是FET导通电阻或Rds（on）中的功耗。例如，H桥（使用高边FET和低边FET）的功耗为：

　　其中，P（Rds）为输出FET中的功耗，

　　HS为高边FET的电阻，

　　LS为低边FET的电阻，

　　Io是加载到电机中的RMS输出电流。

　　请注意，Rds（on）会随温度升高而增加，因为器件变热时，功耗也随之增加。

　　开关损耗

　　当输出从高电平转换为低电平或从低电平转换为高电平时，输出器件会穿过一个线性区域，在该区域，它们的功耗会明显高于完全导通时的功耗。这种功耗称为开关损耗。

　　在近似计算中，各输出的开关损耗为：

　　其中，Psw为一个输出的总开关损耗（以瓦特为单位），

　　P（RISE）为上升沿期间的功耗，

　　P（FALL）为下降沿期间的功耗