富士通针对车载电子和工业控制系统推出全新F

支持宽温并符合AEC Q100验证规范的非易失性内存技术

上海，2017年6月5日 –富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达摄氏125度的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。富士通电子希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用，并支持产品创新的研发项目。

车载电子控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加，因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高，因为当系统在进行资料分析或是其他数据处理时，只有这类内存才能够可靠而无延迟地储存传感器所搜集的数据。由于FRAM属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。目前，FRAM器件能支持如安全气囊数据储存、事故数据记录器（EDR）、电池管理系统（BMS）、汽车驾驶辅助系统（ADAS）及导航与信息娱乐系统等应用中的实时且持续的数据储存，故能降低系统复杂度并提高数据完整性。

富士通电子的全新车用FRAM 产品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit两个容量。其操作电压范围为1.8~3.6V，操作温度范围为摄氏零下40~125度，这样的宽温范围符合车用市场标准及高温环境下的工业应用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高达10兆次的写入次数，采用标准SOP-8封装。

富士通电子产品管理部总监冯逸新表示：“汽车产业正经历史上最大幅度的转型。通过全新FRAM解决方案，我们得以支持创新公司将创意转化为实际产品。我们不只为全球的客户提供器件，更为基于此FRAM的每项开发项目提供顾问服务，与客户一起克服挑战并协助他们加快创新流程。”

MB85RS128TY，MB85RS256TY现已提供工程样品。AEC Q100认证预计在2017年7月完成。