全球最实用的IT互联网信息网站!

AI人工智能P2P分享&下载搜索网页发布信息网站地图

当前位置:诺佳网 > 电子/半导体 > 工业控制 >

4Mb的容量、54MBps的速度……是的,它创造了新的

时间:2017-03-27 15:31

人气:

作者:admin

标签: 富士通  FRAM 

导读:4Mb的容量、54MBps的速度……是的,它创造了新的最高纪录!-富士通电子元器件近日宣布成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM产品MB85RQ4ML,此产品在同类竞品中拥有...

富士通电子元器件近日宣布成功开发具有4 Mbit记忆容量的、带有高速QSPI接口的全新FRAM产品MB85RQ4ML,此产品在同类竞品中拥有最高密度和最快传输速度,并开始以样品量供货。由于其兼顾高速传输和FRAM的特性,因此特别适用于网络建置、RAID控制器工业运算等领域。

为满足市场对FRAM接口速度提升的迫切需求,富士通目前已成功开发MB85RQ4ML 4Mbit FRAM,在FRAM产品线中拥有最高数据传输速度(图一)。

图一:采用16针脚SOP的MB85RQ4ML

此产品采用单一1.8V电源供应器QSPI接口,能以108 MHz运作频率达到每秒54 MB的数据传输速度。富士通以往的产品中,采用44针TSOP封装且拥有16-bit并行接口的4Mbit FRAM传输速度最快,为每秒13 MB。而此全新产品的数据读写速度领先前者将近四倍之高,且所用引脚数更少(图二)。

图二:数据传输率比较

其定位介于数据储存用的高容量非挥发性内存与高速作业内存之间,并以高速存取及数据备份支持数据写入,例如必须持续写入设定数据的网络设备,像路由器等(图三)。

图三:内存于网络装置的使用案例

仰赖海量数据处理能力的物联网市场,随着数据处理量不断增加,内存亦必须频繁地执行数据改写;此外,从安全观点来看,保留存取记录也将更受到重视。有鉴于此,此产品能透过保留网络领域中存取信息而促进设备效能的改善。因此,富士通充分运用FRAM的非挥发性、高速读写周期、高读写耐用度及低功耗特性,为穿戴式市场及物联网市场带来使用FRAM的解决方案,为客户带来更具价值且更加便利的应用。

产品规格

组件料号:MB85RQ4ML

内存密度(组态):4Mbit(512K字符x 8位)

界面:SPI/Quad SPI

运作电压:1.7 – 1.95伏特

保证读/写周期:10兆次

数据保留:10年(85度时)

封装:16针脚SOP

温馨提示:以上内容整理于网络,仅供参考,如果对您有帮助,留下您的阅读感言吧!
相关阅读
本类排行
相关标签
本类推荐

CPU | 内存 | 硬盘 | 显卡 | 显示器 | 主板 | 电源 | 键鼠 | 网站地图

Copyright © 2025-2035 诺佳网 版权所有 备案号:赣ICP备2025066733号
本站资料均来源互联网收集整理,作品版权归作者所有,如果侵犯了您的版权,请跟我们联系。

关注微信