台DRAM厂拼增产抢回市占率 惟制程进度仍落后

台DRAM厂拼增产抢回市占率 惟制程进度仍落后

经历上一波DRAM产业不景气，台系DRAM厂伤得很重，好不容易等到价格反弹到现金成本之上，开始全力扩产找回过去失落的市占率，惟即使目前台系DRAM厂再努力，也只能用落后的制程来追赶，传出三星电子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已开始大量投产，领先台厂2个世代之多，台系DRAM厂在追赶的进度上，再度显得相当吃力。

就像过去每次的景气循环一样，当走出谷底的初期，国际大厂总是早一步获利，台厂缓步跟随在后，这次也不例外，台厂再度过年初的财务危机之后，随著DRAM价格开始上扬，台厂好不容易营运止血，开始走入现金流入，因此纷纷大量增加投片量。

南亚科和华亚科全力转至50奈米制程，速度居于台厂之冠，惟相较三星仍是落后。

近期市场传出，三星在50奈米制程世代领先后，目前已开始以40奈米制程的DDR3芯片放量投片，领先台系厂商2个世代之多。相较之下，台厂虽然努力在投片量上追赶，但制程进度上仍旧是败阵。

力晶12寸晶圆厂已开始满载投片，短期内不用筹资转进50奈米制程的花费，追随尔必达(Elpida)的脚步，专心放在65奈米和Extra 65奈米制程上，以成本竞争力来看，虽然还追不上三星的50奈米制程，但至少可以缩短与海力士(Hynix)间的竞争距离。

南亚科和华亚科虽然誓言要转进50奈米制程，但真正放量的时间点要到2010年才见到，南亚科目前先转入68奈米制程试水温，等到良率顺之后，华亚科2010年在大量转进50奈米制程，届时会是台厂中制程转换至50奈最快的业者，但距离三星的脚步，仍有一段距离在。

茂德2010年开始为尔必达代工DDR3芯片，但茂德原本采用海力士的技术和设备，现在要转到尔必达技术且做代工，必须要购买新机台设备，未来如何找到资金来添置机台设备，是市场关注焦点；再者，何时取得自有技术来源，是一个关注重点。