电子/半导体 / 存储技术_诺佳网——最实用的IT互联网信息网站

全球最实用的IT互联网信息网站！

当前位置：诺佳网 > 电子/半导体 > 存储技术 >

NAS设备铁威马F4-424是如何从市场中脱颖而出的 在当今数字化时代，个人与家庭对数据存储与安全的重视日益增长，网络附加存储（NAS）设备凭借其便捷高效的特点，逐渐成为家庭数据管理的首选方案。... 阅读全文2024-07-18 三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市 近日，韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正全力投入到低延迟宽I/O（LLW DRAM）内存的研发中，旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器（XR设备）订单做... 阅读全文2024-07-18 三星电子存储芯片价格大幅上调，中国市场面临 近日，三星电子宣布了一项重大市场决策，计划在第三季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后，是人工智能领域对高性能存储... 阅读全文2024-07-18 SK海力士携手台积电，N5工艺打造高性能HBM4内存 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力... 阅读全文2024-07-18 三星HBM3e获英伟达认证，加速DRAM产能转型 近日，三星电子在半导体领域再传捷报，其高频宽内存（HBM）产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达（NVIDIA）的严格认证，标志着该产品即将... 阅读全文2024-07-18 三星电子公布2024年异构集成路线图,LP Wide I/O移动 7月17日，三星电子公布了其雄心勃勃的2024年异构集成路线图，其中一项关键研发成果引发了业界广泛关注——一款名为LP Wide I/O的创新型移动内存即将面世... 阅读全文2024-07-17 三星HBM3E批量出货在即，DDR5市场或迎供应紧张与 在半导体存储领域，三星电子的每一次技术突破与产能调整都牵动着市场的神经。近期，业内传出消息，三星电子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存储器即将... 阅读全文2024-07-17 SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术 在半导体技术日新月异的今天，SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息，该公司计划于2026年在其高性能内存（High Bandwidth Memory, HBM）的生产过程... 阅读全文2024-07-17 单颗256GB，单一封装达4TB容量，铠侠第八代BiCS 电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，铠侠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容... 阅读全文2024-07-17 国芯筑梦南天门启航科摩思发布旗舰SSD性能高达 超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。... 阅读全文2024-07-16 首页上一页 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 下一页末页

本类导航

本类排行

本类推荐

栏目热点

CPU | 内存 | 硬盘 | 显卡 | 显示器 | 主板 | 电源 | 键鼠 | 网站地图

关注微信