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60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA

时间:2022-04-26 18:03

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作者:admin

标签: MOS管 

导读:SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,14A、60V的电流、电压,RDS(on)=8.0mΩ(typ),最高栅源电压@VGS=±20V,典型应用于10W-44W快充。60vmos管SV...

SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,14A、60V的电流、电压, RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,典型应用于10W-44W快充。

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60v mos管SVGP069R5NSA特点

■ 开关速度快

■ 提升了dv/dt能力

■ 低栅极电荷

■ 低反向传输电容

■ 14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0@Vcs=10V

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60v mos管SVGP069R5NSA与万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS属于同一类型mos,耐压、导通电阻、封装基本一致,SVGP069R5NSA 60v耐压的mos管可兼容替换AO4264E/威兆VS6410A,骊微电子提供的SVGP069R5NSA广泛应用于二次同步整流逆变器系统的电源管理领域。

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