三星计划：3年内实现2纳米量产

10月19日，韩国三星电子在德国慕尼黑举办了名为「三星代工论坛2023」的活动。在这个活动上，三星电子以霸气十足的姿态公布了其芯片制造的先进工艺路线图和代工战略，宣称将在未来3年内量产2纳米制程的先进芯片，并计划在未来5年内超过台积电。论坛上，三星电子展示了一系列汽车行业定制解决方案，涵盖了从先进的2纳米工艺到传统的8英寸工艺。

三星代工事业部总裁崔时荣表示：「目前我们正加大投入以准备工作，为客户提供功率半导体、微电脑以及先进的自动驾驶人工智能芯片等多种解决方案。

三星强调，他们计划在2026年实现车载2nm芯片的批量生产。同时，他们还公开了下一代存储半导体技术——5nmeMRAM的开发计划，将成为业界的首款产品。

据报道，三星计划从2019年开始成为首家使用28纳米工艺量产eMRAM的公司。他们计划在2024年量产14纳米车用eMRAM，随后在2026年和2027年分别量产8纳米和5纳米车用eMRAM。

三星官方指出，8纳米MRAM与14纳米相比，预计集成度将提高30%，速度将提高33%。此外，三星还计划将目前的130毫米车用BCD工艺提升至90纳米，到2025年将会实现。相比于130纳米，90纳米的BCD工艺将使芯片面积减少20%。三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人庆桂显（KyeHyunKyung）博士在公开场合表示，他们计划在接下来的5年内超过台积电和其他行业巨头。