D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代

Transphorm正在对三个650 V GaN FET进行采样，典型导通电阻为35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO无引线(TOLL)封装。根据制造商的说法，这些通常关闭的D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代品。

坚固耐用的SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关 D 模式平台将 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 配对，因此 SuperGaN FET 很容易使用常用的现成栅极驱动器驱动。它们可用于各种硬开关和软开关 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 拓扑，以提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总体成本。

这三款表面贴装器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，支持平均工作范围为 1 kW 至 3 kW 的应用。这些电源系统通常用于计算(AI、服务器、电信)、能源和工业系统(光伏逆变器、伺服电机)以及其他工业市场。

审核编辑：彭菁