高通骁龙875的参数被公布 5nm制程和1+3+4的三丛集

近日，数码博主@数码闲聊站在微博公布了下一代旗舰SoC高通骁龙875的参数，参数显示，高通骁龙875将采用5nm制程工艺，并采用1+3+4的三丛集架构。主频频率上，这8个核心都与上一代的骁龙865保持一一致，不过在GPU方面升级到了Adreno 660。此外，该博主表示缓存和内存带宽也另外提升。

从这个参数来看，这一代的骁龙875在性能方面可能确实提升不大，但是由于5nm制程工艺的加持，这款SoC或许会在功耗方面有比较大幅度的提升。实际上，目前的5G手机遇到的问题更多是在功耗层面。进入5G时代以来，手机的电池以及散热措施都普遍提升，这也导致了手机重量的增加，因此这一代骁龙SoC在基带的选用和优化也值得期待。

10月6日，高通在微博宣布将在今年的12月1日-2日召开2020高通骁龙技术峰会。每年高通都选择在12月份选择发布新款的骁龙芯片，地点基本都选择在美国夏威夷。不过由于COVID-19疫情的影响，高通今年也将发布会的形式改成了线上发布会。

除了骁龙875，这一次的发布会应该还会推出中端5G芯片，命名可能为骁龙775。按照往年的情况，这一次的骁龙875以及骁龙775都将继续占领大部分的手机品牌。不过今年以来芯片厂商联发科也在不断发力中高端芯片，虽然从目前的情况来看还是没有达到高通的水平，但是在现在的市场上，高通已经不是一家独大了。再加上这一代骁龙875的性能提升可能不太明显，从这点来看，明年联发科的机会还是有的。
编辑：hfy